InGaAs相关论文
高性能大规模小像元短波红外InGaAs焦平面探测器是新一代航天遥感仪器向高空间分辨率、高能量分辨率、高时间分辨率发展需要的核心......
随着太阳能应用的大规模普及,太阳能电池板的产能不断提高。缺陷检测技术是保证产品质量的关键。但现有的缺陷检测技术只能在暗室......
提出一种集成线性渐变滤光片和InGaAs焦平面的微型近红外光谱模组.作为核心分光元件,线性渐变滤光片被紧密耦合在光敏芯片表面.相......
短波红外波段作为“大气透过窗口”之一,探测器工作在该波段能获得目标更多的辐射能量.另外,短波红外对近室温目标的探测成像类似......
为了获得低噪声铟镓砷(InGaAs)焦平面,需要采用高质量的非故意掺杂InGaAs(u-InGaAs)吸收层进行探测器的制备.采用闭管扩散方式,实......
背照结构的InGaAs焦平面器件,受其衬底InP的阻挡,对可见光无响应.针对宽光谱探测的应用需求,研制了 一种像元间距为25 μm、阵列规......
提出一种基于InGaAs焦平面器件的空间高速捕跟成像组件设计方法,阐述了系统工作原理及主要模块实现方式,分析了测试方法和验证结果......
采用测量multi-section单程增益放大自发发射方法研究了MOCVD方法生长的多层结构InGaAs/GaAs量子点光增益特性.随着注入电流的增大......
本文介绍一种有很低暗电流正面进光的InGaAs PIN高速光电探测器的设计和制造技术,对于光敏面为Φ40μm、20μm,和Φ12μm的高速光......
Ternary InGaAs nanowires have recently attracted extensive attention due to their superior electron mobility as well as ......
采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在InP衬底上生长InGaAs材料。采用两步生长法制备InGaAs材料,研究低温生长的缓冲层I......
本文介绍InGaAs PIN高速光电探测器的结构设计、批量生产技术、可靠性保证以及测试技术,并给出了系列产品的主要性能.......
室温铟镓砷(InGaAs)焦平面技术在军事与航天工业上的应用越来越广泛,铟镓砷(InGaAs)焦平面列阵中探测器的尺寸正不断减小,这使得常......
本文研究了γ射线辐照对InGaAs红外探测器性能的影响.γ射线的辐照剂量分别为10Mrad、20Mrad、30Mrad.测量了器件在不同γ辐照剂量......
本文利用非傍轴矢量矩理论，分析了940 nm InGaAs/AlGaAs 分别限制双量子阱(SCH DQW)激光器在垂直于p-n 结面方向上的光束质量因子2 ......
Recently launched spaceborne remote sensors with short-wave infrared(SWIR)spectrum were introduced.Sketch and benefits o......
利用分子束外延方法生长的InP/InGaAs/InP双异质结材料，通过台面成型、有效钝化和欧姆接触电极制备等工艺，制作了512×1元的背照射In......
从理论上分析了线阵InGaAs光电探测器阵列在采用光谱成像技术的光纤光栅传感解调系统中的的成像原理,在此基础上,对日本滨淞光子公......
采用扫描电容显微镜分析了平面型PIN In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/ In0.52Al0.48As短波红外探测器盲元产生的原因, 利用半导体......
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随着GaAs负电子亲和势(NEA)半导体光电阴极在我国的成熟和应用,半导体光电阴极的进一步研究将往更长波的近红外发展。针对透射式半......
当传统的天文导航系统应用于大气层内的载体时,在白天条件下极易受到强天空背景辐射影响而饱和,失去星体探测能力,严重影响了天文......
近年来，随着量子通信的不断发展，高速单光子探测技术和单光子探测芯片逐渐成为研究热点。InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管(SPAD)和In......
GaAs基纳米线材料在新一代光电子器件的研究及制备领域具有广泛的应用前景,近年来一直是国内外研究的热点。由于其高迁移率,高漂移......
本文报道了采用GsMBE方法研制的InGaAs PIN探测器,通过在器件结构中引入了宽禁带InP窗口层和聚酰亚胺钝化工艺,减小了暗电流,提高......
In this paper,we report the growth of Ga As Sb and its crystalline property under various Sb2/As2 flux ratios and growth......
本文详细测量并分析了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱中的激子发光衰退特性，研究了激子发光寿命与Ｉｎ组分和阱宽的关系．发现Ｉｎ组分增大时，激子寿命变短，而发光寿......
混合ＩｎＧａＡｓ光电二极管阵列ＥＴＸ１２８ＦＰＡ是１６３８４元ＩｎＧａＡｓ焦平面阵列，供１．０～１．７μｍ波段内的近红外成象使用。这种１２８×１２８元的二维光电二极管阵列是使用钢冲击结合技术把ＩｎＧａＡｓ材料结合到......
本文报道采用液相外延（ＬＰＥ）生长和传统光刻制管工艺研制出引入多层（三层或三层以上）中间能带隙过渡的吸收区、倍增区分离的ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）／ＩｎＰ雪崩光电二极管......
ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＰ异质结构场效应晶体管的选择湿法腐蚀ＳｅｌｅｃｔｉｖｅＷｅｔＥｔｃｈｉｎｇｆｏｒＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＰＨｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅＦｉｅｌｄ－ＥｆｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒｓＭ．Ｔｏｎｇ等１引言异质结构...
SelectiveWetEtchingforInGaAs / InAlAs / InPhaseStructureField-Effec......
本文叙述一种新型的基于ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＡＳ双势垒ＲＴＤ单片高速逻辑集成电路的设计和制造技术。由该技术产主的Ｓｃｈｏｔ－ｔｋｙ／ＲＴＤ集成双稳开关已工作到３ＧＨＺ的振荡频率。
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高速、高增益ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ基ＨＢＴ双异质结结构和ＩｎＰ集电极使得双极晶体管具有高击穿电压和高漂移速度。瑞典和芬兰的科学家用ＩｎＰ作发射极和集电极，用ＩｎＧａＡｓ作高掺......
应用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）技术研究分子束外延（ＭＢＥ）和二次液相外延（ＬＰＥ）生长的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变层量子季阱激光器深中心行为．在ＭＢＥ激光器的ｎ－ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ组分缓变层和限制层里，除众所......
针对较常用的ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）分别限制应变单量子阱激光器，给出了为得到最大净增益的优化设计参数。对于激射波长为１．５５μｍ的无应变激光器，最佳的光限制层......
3.3.在InP和GaAs衬底上生长In-GaAs三元In_yGa_(1—y)As可以用外延方法生长在Ⅲ-V族二元衬底上。当铟的克分子份数y从y=0(纯GaAs)......
研究了具有不同阱宽的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ和ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ窄量子阱结构中激子线宽与温度的关系，发现在低温范围内，声学声子的线性散射系数随着阱宽的减小而增加，对实验......
报导了脊形波导ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变量子阱激光器的特性和实验结果。激光器阈值电流最低为９ｍＡ，典型值为１５ｍＡ，线性输出光功率大于１２０ｍＷ，微分量子效率典型值为６０％（镀高反......
在过去的一年中,一种明显的动力促使美国航空与航天局(NASA)考虑以较低成本的使命来协调更高的新使命发射率。为了维持低使命成本,......
首先给出在InP衬底上利用MOCVD法生长InP、InGaAs的生长条件，而后分别给出了InP／InP的生长特性，InGaAs／InP的组份控制和生长特性及生长......
首次采用双重肖特基势垒增强层技术，制作了ＩｎＧａＡｓ金属－半导体－金属光电探测器。实验结果表明：具有１５ｎｍ的ｐ－ＩｎＰ和１００ｎｍ的ＩｎＰ双重势垒增强层的器件，极大地减小了暗......
4.混成焦平面列阵性能的比较对于焦平面列阵技术的比较工作来说,探测率和操作温度是关键的一级判别因子。图5所示为热探测率(300 ......
从理论上分析了应变补偿多量子阱激光器的阈值特性，并以ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）体系为例，分别对应变补偿结构和普通应变多量子阱激光器进行了数值计算。结果......
